2N60,2N60场效应管参数,引脚图,2N60规格书中文资料 - 壹芯微
产品型号:2N60
描述:MOSFET,N-CH,600V,1.6A,TO220F
详细描述:通孔,N通道,600V,1.6A(Tc),28W(Tc),TO-220F-3
制造商:Shenzhen Yixinwei Technology Co.,Ltd
供应商:深圳市壹芯微科技有限公司
规格书:2N60规格书
2N60引脚图
2N60电路符号
2N60产品属性
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 2 A |
最大漏源电压 | 600 V |
封装类型 | TO-220F |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 4.7 Ω |
通道模式 | 增强 |
最小栅阈值电压 | 2V |
最大功率耗散 | 23 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
典型栅极电荷@Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
最高工作温度 | +150 °C |
长度 | 10.16mm |
宽度 | 4.7mm |
晶体管材料 | Si |
2N60绝对最大额定参数
2N60电气特性
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