来源：壹芯微 发布日期
2021-07-12 浏览：-20N65 TO-220/TO-3PN参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微
20N65（20A,650V N沟道场效应功率管）
品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：TO-220/TO-3PN|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询
| 参数\型号 | 20N65 | ||
| 极性 | N | ||
| ID(A) | 20 | ||
| VDSS(V) | 650 | ||
| RDS(ON):Max(Ω) | 0.38 | ||
| RDS(ON):VGS(Ω) | 10 | ||
| VGS(th):(V) | 2~4 | ||
| Gfs(min):(S) | 18 | ||
| Gfs(min):Vgs(V) | 40 | ||
| Gfs(min):Io(A) | 10.0 | ||
| 封装 | TO-220,TO-3PN |
概述：作为SMPS MOSFET，壹芯20N65采用壹芯微先进的技术可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和以低栅极电压运行。该设备适合用作负载开关或在PWM应用中。
特性：RDS(ON)<0.85Ω@VGS=10V，ID=6.0A
· 超低栅极电荷(典型值42nC)
· 低反向传输电容(CRSS=典型值25pF)
· 快速切换能力
· 指定雪崩能量
· 改进的dv/dt能力，高耐用性
壹芯微——优质国产功率半导体品牌，主要生产各式二极管、三极管、Mos管、晶体管、桥堆等功率电子器件 产品均通过欧盟各大管理体系认证，高质量，高标准，型号齐全，研发技术与芯片源自台湾，完美替代进口品牌，页面右侧可选择销售业务或工程师立即咨询
【本文标签】：20N65 20N65 TO-220 20N65 TO-3PN 20N65 MOS管
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