来源：壹芯微 发布日期
2021-07-13 浏览：-20N03 TO-252参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微
20N03（20A,30V N沟道场效应晶体管）
品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：TO-252|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询
| 参数\型号 | 20N03 | ||
| 极性 | N | ||
| ID(A) | 20 | ||
| VDSS(V) | 30 | ||
| RDS(ON):Max(Ω) | 0.02 | ||
| RDS(ON):VGS(Ω) | 10 | ||
| VGS(th):(V) | 1~3 | ||
| Gfs(min):(S) | 25 | ||
| Gfs(min):Vgs(V) | 10 | ||
| Gfs(min):Io(A) | 10 | ||
| 封装 | TO-252 |
概述：
20N03/TO-252采用先进的沟槽技术和设计以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，它可用于多种应用。
特性：
· ID = 120A
· VDS=30V
· RDS(ON)=3.8mΩ @ VGS=10V
· 低栅极电荷（典型 54nC）
· 快速切换
· 100% 雪崩测试
· 高功率和电流处理能力
· 高切换速度
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