20N03场效应管参数|20N03(TO252)规格书资料|壹芯微

产品类型 场效应管  产品型号 20N03  极性 NPN

漏源电压 30V  漏极电流 20A  封装 TO-252

20N03场效应管常用封装有:TO-252

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参数资料:

20N03绝对最大额定参数:

漏源电压(V_DS) 30(V)

栅源电压(V_GS) ±20(V)

雪崩电流(I_AR) *(A)

漏极电流-连续(I_D) 20(A)

漏极电流-脉冲(I_DM) 50(A)

单脉冲雪崩能量(E_AS) *(mJ)

重复雪崩能量(E_AR) *(mJ)

二极管恢复峰值(dv/dt) *(V/ns)

功耗(P_D) 30(W)

工作与贮存温度范围(T_J,T_STG) -55~150(°С)

热阻-结到环境(R_θJA) 3.5(°C/W)

热阻-结到外壳(R_θJC) *(°C/W)

焊接的最高引线温度(T_L) *(°С)

20N03各种封装外形尺寸:

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