1N70G-TN3-R场效应管,1N70G-TN3-R参数中文资料 - 壹芯微

型号：1N70G-TN3-R 极性：N沟道；电压：700V 电流：1A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

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1N70G-TN3-R的概述：

1N70是一种高压MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速的开关时间，低栅极充电、低通态电阻和高坚固性雪崩特征。 这种功率MOSFET通常用于高速电源中的开关应用、PWM 电机控制、高高效的直流到直流转换器和桥式电路。

1N70G-TN3-R的特性：

* RDS(ON)<13.5Ω @VGS=10V，ID=0.6A

* 快速切换能力

* 指定雪崩能量

* 改进的dv/dt能力，高耐用性

1N70G-TN3-R的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-SourceVoltage漏源电压,VDSS：700 V

Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS：±30 V

AvalancheCurrent雪崩电流(注2),IAR：1.2 A

ContinuousDrainCurrent连续漏极电流,ID：1.2 A

PulsedDrainCurrent脉冲漏极电流(注2),IDM：4.8 A

AvalancheEnergy雪崩能量(注2),单脉冲 EAS：50 mJ

AvalancheEnergy雪崩能量(注2),重复 EAR：4.0 mJ

PeakDiodeRecovery峰值二极管恢复(注3),dv/dt：4.5 V/ns

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-251L/TO-252 PD：28 W

PowerDissipation功耗,TO-92 PD：1.6 W

JunctionTemperature结温,TJ：+150 °C

注意： 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

2. 重复评级：脉冲宽度受最大结温限制

3. L=60mH，IAS=1A，VDD=50V，RG=25Ω，启动TJ=25°C

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