1N65场效应管参数代换,1N65中文资料规格书

1N65系列场效应管TO-252封装引脚图：

壹芯微供应1N65系列的场效应管型号如下（尾缀不同，参数一致，主要区分材质、封装与包装方式）

1N65L-AA3-R 1N65G-AA3-R 封装形式SOT-223

1N65L-TA3-T 1N65G-TA3-T 封装形式TO-220

1N65L-TF3-T 1N65G-TF3-T 封装形式TO-220F

1N65L-TM3-T 1N65G-TM3-T 封装形式TO-251

1N65L-TMA-T 1N65G-TMA-T 封装形式TO-251L

1N65L-TN3-R 1N65G-TN3-R 封装形式TO-252

1N65L-T60-K 1N65G-T60-K 封装形式TO-126

1N65L-T92-B 1N65G-T92-B 封装形式TO-92

1N65L-T92-K 1N65G-T92-K 封装形式TO-92

1N65L-K08-5060-R 1N65G-K08-5060-R 封装形式DFN5060-8

1N65.pdf 规格书查看下载

1N65系列特性参数如下：

* RDS(ON)<12.5Ω @ VGS=10V, ID=0.6A

* 超低栅极电荷（典型值5.0nC）

* 低反向传输电容（CRSS=典型值3.0pF）

* 快速切换能力

* 指定雪崩能量

* 改进的dv/dt能力，高耐用性

1N65系列绝对最大额定参数如下：（TC=25°C，除非另有说明）

极性：NPN

Drain-SourceVoltage漏源电压,V_DSS：650V

Gate-SourceVoltage栅源电压,V_GSS：±30V

DrainCurrentContinuous漏极电流连续,I_D：1.2A

PowerDissipation功耗,SOT-223,P_D：8W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-251L/TO-252,P_D：28W

PowerDissipation功耗,TO-220,P_D：40W

PowerDissipation功耗,TO-220F,P_D：21W

PowerDissipation功耗,TO-92 (TA=25°C),P_D：1W

PowerDissipation功耗,TO-126,P_D：12.5W

PowerDissipation功耗,DFN5060-8,P_D：14W

Junction Temperature结温,T_J：+150°C

OperationTemperatureAndStorageTemperature工作和储存温度,T_OPR,T_STG：-55 ~+150°C

壹芯微1N65规格书下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

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