1N65AG-TN3-R TO252 N沟道 高压650V 1A - 场效应MOS管 - 壹芯微

型号：1N65AG-TN3-R 极性：N沟道；电压：650V 电流：1A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

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1N65AG-TN3-R的概述：

壹芯1N65A是一款高压功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 该功率 MOSFET 通常用于电源、PWM 电机控制、高效 DC 到 DC 转换器和桥式电路的高速开关应用。

1N65AG-TN3-R的特性：

RDS(ON)<15.5Ω@VGS=10V,ID=0.5A

超低栅极电荷(典型值 8.0nC)

低反向传输电容(CRSS=3.0pF(最大值))

快速切换能力

指定雪崩能量

改进的dv/dt能力，高耐用性

1N65AG-TN3-R的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-SourceVoltage漏源电压,VDSS：650 V

Gate-SourceVoltage栅源电压，VGSS：±30 V

ContinuousDrainCurrent连续漏极电流,ID：0.5 A

PulsedDrainCurrent脉冲漏极电流(注2),IDM：2 A

AvalancheEnergySinglePulse雪崩能量单脉冲(注3),EAS：50 mJ

PeakDiodeRecovery峰值二极管恢复(注4),dv/dt：4.5 V/ns

PowerDissipation功耗(TC=25°C),SOT-223,PD：8.9 W

PowerDissipation功耗(TC=25°C),TO-251/TO-252,PD：27.6 W

PowerDissipation功耗(TC=25°C),TO-92,PD：1.42 W

DerateAbove25°C25°C以上降额,SOT-223,PD：0.07 mW/°C

DerateAbove25°C25°C以上降额,TO-251/TO-252,PD：0.22 mW/°C

DerateAbove25°C25°C以上降额,TO-92,PD：0.22 mW/°C

JunctionTemperature结温,TJ：+150 °C

OperatingTemperature工作温度,TOPR：-55~+150°C

StorageTemperature储存温度,TSTG：-55~+150°C

注意： 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

2. 重复评级：脉冲宽度受最大结温限制

3. L=92mH, IAS=0.8A, VDD=50V, RG=0Ω, 起始TJ=25°C

4. ISD≤1.0A，di/dt≤100A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

壹芯微1N65AG-TN3-R规格书下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

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