FQP12N65选型替代,12N65场效应管参数中文资料PDF - 壹芯微

12N65场效应管参数(电流(ID):12A,电压(VDSS):650V),N沟道增强型场效应晶体管,10N65场效应管封装形式为TO220,10N65场效应管封装引脚规格书(PDF)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS绝对最大额定值(Ta=25℃)

SYMBOL符号 | PARAMETER参数 | VALUE价值 | UNIT单元

VDSS，Drain-Source Voltage漏源电压： 650V 

VGS，Gate-Source Voltage-Continuous栅源电压-连续：±30V 

ID，Drain Current-Continuous漏极电流-连续：12A 

IDM，Drain Current-Single Plused漏极电流-单加：48A 

PD，Total Dissipation总耗散@Tc=25℃：225W 

TJ|Max. Operating Junction Temperature最大工作结温：150℃

Tstg Storage Temperature储存温度：-55～150℃

壹芯微（Yixin）专注二三极管MOS功率器件研发、生产、销售一体化服务，是国内知名功率半导体制造商。壹芯微产品高质量、高标准、高性价比、精益求精、品质如一，提供选型替代/免费送样/技术支持/售后服务。主要生产各式贴片/直插、肖特基二极管、TVS二极管、整流二极管、快恢复二极管、低压降二极管、场效应管(MOSFET)、可控硅(晶闸管)、三端稳压管(稳压电路)、桥堆等功率器件选型产品。引进大量先进的晶体管选型封装测试全自动化设备、专业生产系列精密设备等，芯片技术源自台湾，完美替代进口品牌，产品通过欧盟多个管理体系认证，应用领域广泛，优质研发技术团队为各行业应用提供完美的解决方案与技术支持。如需报价或了解更多，欢迎咨询官网在线客服或请致电135 3414 6615