「12N65」关于分立器件场效应MOS管驱动电路解析 - 壹芯微
12N65 TO-220 (12A,650V)N沟道 直插 MOS场效应管
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参数\型号 | 12N65 | ||
极性 | N | ||
ID(A) | 12 | ||
VDSS(V) | 650 | ||
RDS(ON):Max(Ω) | 0.85 | ||
RDS(ON):VGS(Ω) | 10 | ||
VGS(th):(V) | 2~4 | ||
Gfs(min):(S) | 7.8 | ||
Gfs(min):Vgs(V) | 40 | ||
Gfs(min):Io(A) | 6.0 | ||
封装 | TO-220 |
你是否了解分立元件MOS管(场效应管)驱动电路?它有什么要点?
该电路是在48V直流电机驱动上使用非常普遍的分立元件MOS管驱动电路,适用频率可达30kHz左右,稳定可靠,在成本局限的产品上可代替IR21XX驱动IC。这个电路已经经历了多年的商业化检验,保证你按照电路里的参数制作就可正常工作。
制作时需要注意以下几点:
(1)若你的电机工作电压低于或等于12V可能需要调整上桥臂晶体管的工作状态。
(2)自举电容C5、C6要使用低漏电的。用钽电容,耐压看20v是否够用,C5、C6耐压最好在电源电压以上,用太高级的钽电容其实不太必要,一般非高频低阻的铝电解就足矣。
(3)D5、D6如成本允许应使用快恢复型二极管如FR157。公司有开关电源用的1N5819是否可以替换?1N5819反向耐压40V,要看你的电机电源多少V,这个管子耐压最好大于(电源V+12V)*1.5。要求不高的话用M7(1N4007),一般没问题的。
(4)主滤波电容C11、C12必须是高频低阻电容,否则纹波容易引起发烫。
(5)C9、C10耐压应是电源的至少一倍。
(6)注意布线!尤其是高频部分(参考IR的一系列布线文档)。具体是那些零一般我都用0805的,尤其和MOS管接近的走的都是大电流。15V稳压管只是起个保护作用,平常没电流,1/4W就行。
(7)由于使用了自举电路,启动时必须先开下桥再开上桥(PWM只能在下桥上加,上桥只加开关信号);而且PWM不能大于95%,否则重载启动、短路测试时烧你没商量(这点连IR21XX也是一样)。以上就是分立元件MOS管驱动电路解析,希望能给大家帮助。
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