12N65场效应管参数|12N65(TO220)规格书资料|壹芯微

产品类型 场效应管  产品型号 12N65  极性 NPN

漏源电压 650V  漏极电流 12A  封装 TO-220,TO-220F,TO-220F1,TO-220F2,TO-262,TO-263,TO-3P,TO-3PN

12N65场效应管常用封装有:TO-220,TO-252

12N65(多封装)规格书 查看下载

参数资料:

12N65绝对最大额定参数:

漏源电压(V_DS) 650(V)

栅源电压(V_GS) ±30(V)

雪崩电流(I_AR) 12(A)

漏极电流-连续(I_D) 12(A)

漏极电流-脉冲(I_DM) 48(A)

单脉冲雪崩能量(E_AS) 790(mJ)

重复雪崩能量(E_AR) 24(mJ)

二极管恢复峰值(dv/dt) 4.5(V/ns)

功耗(TO-220/TO-262/TO-263)(P_D) 225(W)

功耗(TO-220F/TO-220F1)(P_D) 51(W)

功耗(TO-220F2)(P_D) 54(W)

功耗(TO-3P/TO-3PN)(P_D) 260(W)

工作与贮存温度范围(T_J,T_STG) -55~+150(°С)

热阻-结到环境

(TO-220/TO-220F/TO-220F1/TO-220F2/TO-262/TO-263)(R_θJA) 62.5(°C/W)

(TO-3P/TO-3PN)(R_θJA) 40(°C/W)

热阻-结到外壳

(TO-220/TO-262/TO-263)(R_θJC) 0.56(°C/W)

(TO-220F/TO-220F1)(R_θJC) 2.43(°C/W)

(TO-220F2)(R_θJC) 2.31(°C/W)

(TO-3P/TO-3PN)(R_θJC) 0.48(°C/W)

焊接的最高引线温度(T_L) *(°С)

12N65各种封装外形尺寸:.

壹芯微科技专业生产"二极管,三极管,场效应管,桥堆",20年丰富的生产经验,品质优秀,完美替代,专业生产管理团队与工程师严格管控品质,超过4800家电路电器生产企业选用合作,价格低于同行(20%),更具性价比,提供技术支持,售后FEA,如需了解产品详情,最新报价以及样品申请,欢迎咨询官网在线客服!

手机号/微信：13534146615

QQ：2881579535