12N10场效应管参数中文资料 选型替代 MOS管生产厂家 - 壹芯微

12N10场效应管主要参数 极性：N沟道；电压(VDSS)：100V；电流(ID)：12A；封装(Pageke)：TO-252；

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绝对最大额定参数

漏源电压 (V_GS=0) V_DSS：100 V

栅源电压 V_GSS：±20 V

漏极电流连续 T_C=25°C I_D：12 A

漏极电流连续 T_C=100°C I_D：8.5 A

脉冲漏极电流(注 2)I_DM：48 A

功耗 TO-220 P_D：73 W

功耗 SOP-8 P_D：5 W

雪崩能量(注 3) E_AS：100 mJ

结温 T_J：+150 °C

储存温度 T_STG：-55~+150 °C

注意： 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

2.脉冲宽度受安全工作区限制

3. 启动 T_J=25°C，I_D=12A，V_DD=50V

壹芯微致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产与销售，至今已有20年半导体行业研发、制造经验。目前壹芯微产品已经在便携性设备、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器等领域获得广泛应用，帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制二三极管MOS管产品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我们，免费试样热线：13534146615(微信同号) QQ：2881579535 或请咨询官网在线客服。