来源：壹芯微 发布日期
2021-07-12 浏览：-10N65 TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微
10N65（10A,650V N沟道场效应功率管）
品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：TO-220|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询
| 参数\型号 | 10N65 | ||
| 极性 | N | ||
| ID(A) | 10 | ||
| VDSS(V) | 650 | ||
| RDS(ON):Max(Ω) | 1.0 | ||
| RDS(ON):VGS(Ω) | 10 | ||
| VGS(th):(V) | 2~4 | ||
| Gfs(min):(S) | 6.2 | ||
| Gfs(min):Vgs(V) | 40 | ||
| Gfs(min):Io(A) | 5.0 | ||
| 封装 | TO-220 |
描述：壹芯10N65是一款高电压大电流电源MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高崎岖的雪崩特性。这种功率MOSFET通常是用于电源、PWM中的高速开关应用电机控制、高效直流到直流转换器和电桥电路。
特性：Ros(on)<0.86Q@ Ves=10V 低栅极电荷（典型值 44 nC）低Crss（典型值18 pF）快速切换100% 雪崩测试 改进的 dv/dt 能力
壹芯微——优质国产功率半导体品牌，主要生产各式二极管、三极管、Mos管、晶体管、桥堆等功率电子器件 产品均通过欧盟各大管理体系认证，高质量，高标准，型号齐全，研发技术与芯片源自台湾，完美替代进口品牌，页面右侧可选择销售业务或工程师立即咨询
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