10N65场效应管参数资料大全,10N65代换选型手册

10N65系列场效应管TO-220封装引脚图：

壹芯微供应10N65系列的场效应管型号如下（尾缀不同，参数一致，主要区分材质、封装与包装方式）

10N65L-TA3-T 10N65G-TA3-T 封装形式TO-220

10N65L-TF1-T 10N65G-TF1-T 封装形式TO-220F1

10N65L-TF2-T 10N65G-TF2-T 封装形式TO-220F2

10N65L-TF3-T 10N65G-TF3-T 封装形式TO-220F

10N65L-T2Q-T 10N65G-T2Q-T 封装形式TO-262 

10N65L-TQ2-T 10N65G-TQ2-T 封装形式TO-263

10N65L-TQ2-R 10N65G-TQ2-R 封装形式TO-263

10N65.pdf 规格书查看下载

10N65系列特性参数如下：

* RDS(ON)<0.86Ω @ VGS=10V

* 低栅极电荷（典型值为44nC）

* 低Crss（典型值18pF）

* 快速切换

* 100%雪崩测试

* 改进的dv/dt功能

10N65系列绝对最大额定参数如下：（TC=25°C，除非另有说明）

极性：NPN

Drain-SourceVoltage漏源电压,V_DSS：650V

Gate-SourceVoltage栅源电压,V_GSS：±30V

DrainCurrentContinuous漏极电流连续,I_D：10A

PowerDissipation功耗,TO-220,P_D：156W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1,P_D：50W

PowerDissipation功耗,TO-220F2 ,P_D：52W

PowerDissipation功耗,TO-262 ,P_D：156W

PowerDissipation功耗,TO-263,P_D：178W

Junction Temperature结温,T_J：+150°C

OperationTemperatureAndStorageTemperature工作和储存温度,T_OPR,T_STG：-55 ~+150°C

壹芯微10N65规格书下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

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