10N65场效应管参数|10N65(TO220)规格书资料|壹芯微

产品类型 场效应管  产品型号 10N65  极性 NPN

漏源电压 650V  漏极电流 10A  封装 TO-220,TO-220F,TO-220F1,TO-262,TO-263,TO-220F2

10N65场效应管常用封装有:TO-220,TO-252

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参数资料:

10N65绝对最大额定参数:

漏源电压(V_DS) 650(V)

栅源电压(V_GS) ±30(V)

雪崩电流(I_AR) 10(A)

漏极电流-连续(I_D) 10(A)

漏极电流-脉冲(I_DM) 38(A)

单脉冲雪崩能量(E_AS) 700(mJ)

重复雪崩能量(E_AR) 15.6(mJ)

二极管恢复峰值(dv/dt) 4.5(V/ns)

功耗(TO-220)(P_D) 156(W)

功耗(TO-220F/TO-220F1)(P_D) 50(W)

功耗(TO-220F2)(P_D) 52(W)

功耗(TO-262)(P_D) 156(W)

功耗(TO-263)(P_D) 178(W)

工作与贮存温度范围(T_J,T_STG) -55~+150(°С)

热阻-结到环境(R_θJA) 62.5(°C/W)

热阻-结到外壳

(TO-220)(R_θJC) 0.8(°C/W)

(TO-220F/TO-220F1)(R_θJC) 2.5(°C/W)

(TO-220F2)(R_θJC) 2.4(°C/W)

(TO-262)(R_θJC) 0.8(°C/W)

(TO-263)(R_θJC) 0.7(°C/W)

焊接的最高引线温度(T_L) *(°С)

10N65各种封装外形尺寸:

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