100N03 TO-220/TO-252参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微

100N03（100A,30V N沟道场效应晶体管）

品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：TO-220/TO-252|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询

概述：

壹芯100N03采用先进的沟槽技术并设计提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷，它可以用于广泛的应用范围

一般特征：

· VDS = 30 V，ID = 100 A

RDS(ON) < 5.5 mΩ @ VGS = 10 V（典型值：4mΩ）

· 用于超低 Rdson 的高密度电池设计

· 充分表征雪崩电压和电流

· 良好的稳定性和均匀性，高EAS

· 优秀的封装，良好的散热

· 高ESD能力的特殊工艺技术

壹芯微——优质国产功率半导体品牌，主要生产各式二极管、三极管、Mos管、晶体管、桥堆等功率电子器件 产品均通过欧盟各大管理体系认证，高质量，高标准，型号齐全，研发技术与芯片源自台湾，完美替代进口品牌，页面右侧可选择销售业务或工程师立即咨询