0.08pF超低电容的瞬态抑制二极管阵列(TVS)介绍

随着5G时代系统数据速率的不断提升，设计工程师要保持高度信号完整性将面临越来越大的挑战，这为超低电容的瞬态抑制二极管阵列（TVS）提供了广阔发展空间。

电路保护技术原厂Littelfuse日前推出了两款超低电容ESD保护器件SP3208和SP3213系列。两款器件均符合AEC-Q101标准，并采用相同的座模，可安全吸收±12kV的重复ESD震击而不会影响性能，并可安全耗散2A的8/20μs浪涌电流。

瞬态抑制二极管阵列

SP3208和SP3213系列低于0.1pF的ESD保护可实现高达30GHz的传输频带，内部增强结构的0201DFN封装可减少寄生电容、电感和电阻，使得这些瞬态抑制二极管阵列能够更加轻松地融入保护方案，为全世界最快的数据接口确保高度信号完整性。其中，SP3208系列中的第一款瞬态抑制二极管阵列SP3208-01UTG经过机械优化，可提供稳定的超低电容（标称值为0.08pF），SP3213系列器件中的第一款SP3213-01UTG可提供具有较高成本效益的ESD保护解决方案。

两个系列的双向瞬态抑制二极管阵列用于在PCB布局尤其具有挑战性的应用中保护超高速消费电子产品接口免受破坏性静电放电（ESD）的损坏。目标应用包括超高速数据线路和接口，例如USB 3.2、3.1、3.0、2.0、HDMI 2.1. 2.0、1.4a、1.3、DisplayPort、Thunderbolt和V-by-One，低功率天线端口，消费类、移动及便携式电子产品，以及平板电脑和带有高速接口的外部存储设备。

SP3208和SP3213系列的标称电容要低50%，更低的寄生电容和电感可改善动态电阻性能，更快、更好地保护电路，有助于保持信号的完整性，并将数据丢失率降至最低。

目前，两款新产品可提供表面贴装式µDFN-2(0201)封装，采用15,000只装卷带封装，让信号完整性工程师可创造出高速的数据环境。

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