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场效应MOS管IRF630B参数

PD最大耗散功率:72WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF630B是一款常用的功率场效应晶体管(MOSFET),具有广泛的应用场景和一系列参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源:在开关电源中,IRF630B通常用作功率开关,控制电路的开关,实现高效的能量转换。其低导通电阻和高耐压特性使其在高功率电源中表现出色。

    2. 电机控制:IRF630B可用于电机控制电路中的开关元件,如变频器和电机驱动器。其能够快速切换和低开关损耗使其成为驱动高功率电机的理想选择。

    3. 照明应用:在LED照明系统中,IRF630B可用作LED驱动电路中的开关元件,帮助实现灯光的调光和开关控制。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,IRF630B可用于发动机控制单元(ECU)和电动汽车的功率控制器中,帮助提高系统的效率和可靠性。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):IRF630B具有较低的导通电阻,通常在几欧姆以下,这有助于减小功率开关时的能量损耗,并提高系统效率。

    2. 高耐压特性:IRF630B具有较高的漏极-源极耐压,通常在数十伏特以上,这使其能够在高压环境下稳定工作,适用于各种应用场景。

    3. 快速开关速度:IRF630B具有快速的开关速度,能够迅速地从导通到截止或反之转换,有利于减小开关过程中的能量损耗。

    4. 热稳定性:IRF630B具有良好的热稳定性,能够在高温环境下长时间稳定工作,适用于高温环境中的应用场景。

    5. 可靠性:由于其设计和制造符合严格的工业标准,IRF630B具有良好的可靠性和稳定性,适用于长期稳定运行的工业应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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