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场效应MOS管STD60N3LH5参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:48AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.008ΩVRDS(ON)ld通态电流:24AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD60N3LH5是一款高性能N沟道MOSFET晶体管,具有广泛的应用场景和优越的参数特点。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD60N3LH5常用于电源开关和电池管理系统中,通过控制电流来提高效率和可靠性。

    2. 汽车电子:在汽车的电动化和智能化发展中,STD60N3LH5可用于电动汽车的电机驱动控制和电池管理单元。

    3. 工业自动化:用于工业机器人、PLC控制系统等高性能自动化设备中,STD60N3LH5能够提供可靠的功率开关解决方案。

    4. 通信设备:在基站和网络设备中,STD60N3LH5被用作功率放大器和功率开关,以支持持续稳定的通信信号传输。

    5. 医疗设备:在医疗影像设备和生命支持系统中,STD60N3LH5提供了关键的电源管理和保护功能,确保设备安全可靠运行。

    二、参数特点:

    - 高效能:STD60N3LH5具有优异的导通特性和低导通电阻,能够在低压降下提供高效的功率传输。

    - 低开启电阻:这款MOSFET晶体管具有低开启电阻特性,减少了能量损耗并提高了开关效率。

    - 高速开关:STD60N3LH5响应速度快,适合高频开关应用,保证信号传输的稳定性和速度。

    - 温度稳定性:具备良好的温度稳定性,能够在广泛的工作温度范围内保持稳定的电性能。

    - 负载能力:STD60N3LH5能够处理高功率负载,适用于需要高度可靠性和长期稳定运行的应用场合。

    综上所述,STD60N3LH5作为一款多功能的高性能MOSFET晶体管,广泛应用于电源管理、汽车电子、工业自动化、通信设备和医疗设备等多个领域。其优秀的电性能和可靠性,使其成为现代电子设备设计中不可或缺的关键部件,确保设备在各种苛刻环境下稳定运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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