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三极管SI2305参数

PD最大耗散功率:1.25WID最大漏源电流:-4AV(BR)DSS漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Ω内阻:55MΩVRDS(ON)ld通态电流:-4AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-0.4~-1.1VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μAGfs(min)S跨导:SGfs(min)VDS漏源电压:VGfs(min)lo通态电流:A

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    SI2305是一款常用于各种应用场景的P沟道MOSFET,特别适合小功率电路和负载管理。由于其参数特性,它被广泛应用于许多便携式电子设备中。

    一、应用场景

    1.负载开关:SI2305广泛应用于负载开关,控制通断切换。由于导通电阻低,可以在低压负载下良好工作,有效降低功耗并延长电池寿命,因此广泛应用于笔记本电脑、智能手机等设备。

    2.电池管理:电池管理在便携式电子设备中非常重要,因为管理系统提供充电和放电的精确控制,从而提高设备的整体性能和安全性。

    3.电源转换电路:它们也常用于电源转换电路中,作为DC-DC转换器的一部分,提供电源电压的切换和稳定供应。由于P沟道特性,驱动电路相对简单,适合应用。

    4.反接保护:SI2305还可作为反接保护装置,防止连接电源时因极性错误而损坏电路,防止意外损坏。

    二、参数特点

    - 导通电阻(Rds(on):SI2305的导通电阻较低。在典型电压(Vgs为-4.5V)下,Rds(on)仅约为50毫欧。这导致开关期间的功耗非常低,使其适合电流敏感的应用场景。

    - 电压范围:SI2305最大漏源电压(Vds)为-20V,最大栅源电压(Vgs)为±8V。该电压范围适用于无需电源的低压电源应用,防止因张力过大而损坏。

    - 最大连续电流:最大连续电流为-3.2A,使其能够在开关和驱动情况下以较低的功耗处理相对较大的电流负载。

    - 栅极驱动特性:SI2305具有低栅极电荷,这意味着它可以用较低的驱动电流进行控制。这对于微控制器或低功率驱动源尤其有利。这一特性可以实现快速响应并提高整个电路的开关速度。

    - 封装类型:SI2305通常采用SOT-23封装,适用于小型、空间受限的PCB设计,导通电阻较低,常用于许多电子设计中。

    总的来说,SI2305适中的电压和电流能力以及良好的开关性能,简单的驱动特性和紧凑的外壳使其成为负载转移和电池管理的理想选择。这在功率转换等情况下提供了不可替代的优势。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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