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三极管SI2302参数

PD最大耗散功率:1.25WID最大漏源电流:3AV(BR)DSS漏源击穿电压:20VRDS(ON)Ω内阻:72MΩVRDS(ON)ld通态电流:3.6AVRDS(ON)栅极电压:4.5VVGS(th)V开启电压:0.4~1VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:SGfs(min)VDS漏源电压:VGfs(min)lo通态电流:A

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    SI2302是一种常用的N沟道MOSFET,由于其低导通电阻、低栅极驱动电压和小型封装而得到广泛应用。以下是SI2302的应用场景和参数特点。

    一、应用场景

    1.开关电源管理:由于其低导通电阻,SI2302通常用作开关器件,在DC-DC降压和升压等电源管理电路中控制电流用作转换器。有效减少能量损失,提高电能转换效率。

    2.负载开关:在移动设备、智能穿戴设备等小型电子设备中,SI2302用作负载开关,控制供电路径。低开启电压允许以较低的驱动电压运行,使其适合由低功耗MCU直接控制。

    3.电机驱动和控制:SI2302也常用于低功率电机驱动,特别是需要使用PWM信号进行速度控制的应用。由于开关速度快,它可以与微控制器结合使用,使用PWM信号控制电机速度。

    4.电池保护电路:SI2302也广泛应用于锂电池管理系统中,实现电池充/放电保护和过流保护功能,其特性使其适合需要大空间的电池使用。

    二、参数特点

    - 低导通电阻(Rds(on)):SI2302的典型导通电阻较低,因此导通时的功耗较小,电路的整体效率较高。低导通电阻特别适合需要更高效率的应用场景。

    - 栅极驱动电压低:SI2302的栅极驱动电压仅为2.5V,因此可以使用3.3V以下的控制电压进行开关控制。这非常适合与现代低压调节器或低电压MCU或逻辑控制器结合使用。

    - 小型封装 (SOT-23):SI2302采用SOT-23封装。这种小外壳特别适合需要为手机和平板电脑等便携式设备节省空间的设计。

    - 快速开关速度:SI2302相对较快的开关速度可在高频开关应用中提供出色的性能。快速开关特性使其适合需要精确PWM控制的场景,例如LED调光、电机控制等。

    总体而言,SI2302由于其低导通电阻、低栅极驱动电压和小封装,在电源管理、负载切换、小型电机控制和MOSFET选择等场景中非常受欢迎。根据应用的电流、电压和散热要求满足适当的设计要求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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