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场效应MOS管IRF9540参数

PD最大耗散功率:140WID最大漏源电流:-23V(BR)DSS漏源击穿电压:-100VRDS(ON)Ω内阻:0.1ΩVRDS(ON)ld通态电流:-11AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    IRF9540是一款P沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路和电源管理系统,特别是在需要高效率和可靠性的关键场合。

    一、应用场景

    1. 电源管理和转换电路:IRF9540广泛应用于开关电源和DC-DC转换器。这些电源系统需要高效的电压和电流管理能力。MOSFET以其低导通电阻和快速开关特性而著称,可以有效降低能量损耗,提高转换效率。

    2. 电机控制:在各种电机控制应用中,IRF9540用作电子开关来控制电流的流动。高边开关功能非常适合用于控制直流电机,可以精确控制电机的速度和方向,通过控制实现高效的能源管理。

    3. 负载开关和保护电路:在断路器和保护电路中,IRF9540广泛用于控制负载的通断切换。例如,在汽车电子应用中,它们可以用作车辆系统中的负载开关。

    4. 逆变器和放大器:在一些小型逆变器和线性放大器电路中,IRF9540还可以起到模拟信号放大的重要作用,用于功放末级。

    二、参数特点

    - 导通电阻 (Rds(on)):IRF9540的导通电阻相对较低,通常约为0.2-0.3欧姆。这一特性意味着运行期间内部能量损耗较低,有助于提高整体效率,特别是在高频开关应用中。

    - 漏极电流(Id):最大漏极电流为19A,可以处理更大的电流负载。这一特性使其特别适合高性能电源管理。

    - 漏源电压(Vds):IRF9540的漏源电压为-100V,适合在高压电源和信号控制环境中工作。可用于多种工业应用,即使在恶劣的电气环境下也能保证稳定的性能。

    - 栅极驱动电压:栅极驱动电压通常为10V。这意味着在驱动IRF9540时,需要提供合适的驱动电压,使其能够有效地开启和关闭。该参数对于设计高效驱动电路非常重要,尤其是在高速开关应用中。

    - 功耗(Pd):该设备功耗为140W。这表明它可以在相对高功率的条件下稳定运行,例如在逆变器和电机控制系统中。

    总的来说,IRF9540因其低导通电阻、高载流能力、高漏源电压而被广泛应用。其P沟道结构使其特别适合用作高边开关,减少驱动降低了复杂性,在高性能应用中具有出色的散热性能。这些特性使IRF9540成为开发高效可靠的电源转换和控制系统的首选。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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