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场效应MOS管FQP2N60C参数

PD最大耗散功率:55.5WID最大漏源电流:2V(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:3.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP2N60C是一种常用的N沟道MOSFET,其在各种电子设备和电路设计中有着广泛的应用。下面详细介绍FQP2N60C的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQP2N60C常用于开关电源中的高频开关器件。它的高电压和低导通电阻特性使其在开关过程中损耗较低,能够提高电源的效率和可靠性。

    2. 电机驱动:在直流电机的控制和驱动电路中,FQP2N60C由于其高电流处理能力和快速开关速度,常被用作功率开关器件,能够有效地控制电机的启动和停止。

    3. 逆变器:在光伏逆变器和风能逆变器中,FQP2N60C作为逆变器的开关元件,可以有效地转换直流电为交流电,支持高效能量转换和稳定输出。

    4. 照明设备:FQP2N60C在LED驱动电路和其他高效照明系统中表现出色。其高效能和低损耗特性使得照明设备更加节能和耐用。

    5. 消费电子:在消费电子产品如电源适配器、充电器等设备中,FQP2N60C被广泛使用,其高效率和可靠性为产品提供了良好的性能和较长的使用寿命。

    二、参数特点:

    1. 高耐压:FQP2N60C具有600V的高耐压特性,能够在高电压环境下稳定工作,适用于需要高电压操作的应用场景。

    2. 低导通电阻:FQP2N60C的导通电阻(RDS(on))低至1.9欧姆,这意味着在导通状态下,其功率损耗较低,有助于提高整体电路的效率。

    3. 高脉冲电流能力:FQP2N60C可以处理高达16A的脉冲电流,使其在瞬时大电流情况下仍能稳定运行,适用于电机驱动和大功率转换等应用。

    4. 快速开关速度:FQP2N60C的开关速度非常快,这对于开关电源和高频信号处理电路来说是一个重要的优势,能够大幅度提高系统的响应速度和效率。

    5. 热稳定性:FQP2N60C具有良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,这对于需要在各种环境下长期运行的设备来说非常重要。

    综上所述,FQP2N60C由于其高耐压、低导通电阻、高脉冲电流能力、快速开关速度和良好的热稳定性,在多个领域中表现出色,是一种高效能、高可靠性的MOSFET器件。在选择和应用FQP2N60C时,需根据具体的电路需求和工作环境来合理设计,以充分发挥其优越的性能和特点。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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