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MOS管AO3400参数

PD最大耗散功率:1.4WID最大漏源电流:5.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:28MΩVRDS(ON)ld通态电流:0.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:0.7~1.4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:10SGfs(min)VDS漏源电压:5VGfs(min)lo通态电流:5A

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    AO3400是一种高性能N沟道MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和负载驱动等电子电路中。由于其优越的导通性能和低导通电阻,AO3400在高效能电路设计中受到青睐。

    一、应用场景

    1. 开关电源:AO3400常用于开关电源电路中,作为开关元件,能够实现高效率的电能转换,减少能量损耗。

    2. DC-DC转换器:在各种DC-DC转换器中,AO3400可以作为主开关元件,确保快速响应和低损耗,提高整体转换效率。

    3. 电机驱动:AO3400可以用于电机驱动电路中,提供强劲的输出电流,适用于直流电机和步进电机的控制。

    4. LED驱动:AO3400在LED照明电路中也能发挥作用,通过高效的开关控制实现亮度调节,优化电源管理。

    二、参数特点

    - 额定电压:AO3400的最大漏极-源极电压为30V,适合中低电压应用。

    - 导通电阻:其低导通电阻(RDS(on))在4.5V栅极电压下可低至25mΩ,确保高效率的电流传输。

    - 输出电流:AO3400能够承载高达30A的脉冲电流,适应多种负载需求。

    - 开关速度:具备快速开关特性,适合高频应用,能够有效降低开关损耗。

    总的来说,AO3400因其低导通电阻和高电流能力,成为现代高效电源管理和负载驱动的理想选择,适用于各种电子设备设计中。其优越的性能使其在开关电源和电机控制等领域中发挥重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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