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场效应MOS管ZXMP6A17K参数

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场效应MOS管ZXMP6A17K参数

产品简介

PD最大耗散功率:4.17WID最大漏源电流:-6.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:-60VRDS(ON)Ω内阻:0.125ΩVRDS(ON)ld通态电流:-2.3AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

产品详情



ZXMP6A17K是一款N沟道增强型MOSFET,主要应用于各种电子电路中,尤其是在电源管理、负载开关和直流-直流转换等领域。以下将详细介绍ZXMP6A17K的应用场景和参数特点。

一、应用场景:

1. 电源管理:在电源管理系统中,ZXMP6A17K常用于稳压器、开关模式电源(SMPS)以及电池管理系统中。它可以通过高效的开关动作,帮助减少能量损耗,提高整体系统的效率。

2. 负载开关:ZXMP6A17K非常适合用于负载开关应用。这种场景包括笔记本电脑、移动设备等需要高效能量管理的产品。其低导通电阻特性保证了开关过程中的低功耗。

3. 直流-直流转换器:在DC-DC转换器中,ZXMP6A17K作为主开关管使用,能够高效地转换电压,满足各种设备的电压需求。它在降压(buck)、升压(boost)转换器中表现尤为出色。

4. 电机控制:在电机控制系统中,ZXMP6A17K用于控制电流的通断,从而精确控制电机的速度和方向。其快速开关能力和低损耗特点使其成为电机驱动电路的理想选择。

5. 工业和汽车电子:由于其高可靠性和强大的性能,ZXMP6A17K在工业和汽车电子领域也得到广泛应用。例如,在汽车电子系统中用于控制电动窗、电动座椅和其他电动装置。

二、参数特点:

- 导通电阻:ZXMP6A17K具有极低的导通电阻(典型值为0.065欧姆),这意味着在导通状态下,它的能量损耗非常低,能有效减少电路中的热量生成。

- 电流承载能力:ZXMP6A17K最大连续漏极电流(Id)为4.3安培,使其能够处理较大电流负载,适用于高功率应用。

- 耐压能力:ZXMP6A17K的漏源极间最大耐压(Vds)为60伏,这使其能够在较高电压下稳定工作,适用于需要高电压操作的应用场合。

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