三管MOS DRAM基本单元电路原理介绍

一、三管MOS DRAM基本单元电路原理

如果需要读出数据，首先需要给T4加上一个预充电信号，然后VDD给读数据线充电，代表需要读出的数据是“1”，进行读出时，读选择线是高电平。此时，如果原来存储在电容里面的数据是“0”，则电容为低电平，不带电，那么T1并不会接通。因此此时存的数据是“0”，读出的数据却是“1”。//相反，如果存的数据是“1”，那么T1管就会接通，T1、T2导通接地，所以此时读数据线为低电平，读出的数据就是“0”，。这就是“读出与原存信息相反”，因此需要在读数据线输出端加一个与门。

如果需要写入数据，写选择线为高电平，T3管接通，写数据线若是高电平，就会给Cg充电，写入数据“1”，如果写数据线是低电平，则Cg会通过T3管放电，存入的数据是“0”。这就是“写入与输入信息相同”。

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