MOS管知识-mosfet体效应(衬偏效应)分析

MOS管知识-mosfet体效应(衬偏效应)详解

mosfet体效应(衬偏效应)详解

关于MOSFET的体效应（body-effect,衬底调制效应／衬偏效应），主要是来源于mos管的S-B(Source-Bulk)端之间的偏压对MOSFET阈值电压vth的影响：以NMOS为例，当晶体管的源端（Source)电势高于体端（Bulk)电势时，栅下面的表面层中将有更多的空穴被吸引到衬底，使耗尽层中留下的不能移动的负离子增多，耗尽层宽度增加，耗尽层中的体电荷面密度Qdep也增加。

而从一般的MOSFET的阈值电压的关系式中Vth与Qdep的关系（可以考率Vth为MOS栅电容提供电荷以对应另一侧耗尽区固定电荷的大小），可以看到阈值将升高。

在考虑体效应之后，MOS管的阈值电压可以写为：

我们亦可以在下图直观的了解VSB对Vth的影响：

相应的，由于体效应的存在，在MOSFET的小信号模型中，需要在gm*VGS的电流源旁并联一个大小为gmb*VBS的电流源

MOSFET的体效应(衬偏效应)