MOS管场效应管栅极串联电阻作用介绍

MOS管场效应管栅极串联电阻作用介绍

1、如果没有栅极电阻，或者电阻阻值太小

MOS导通速度过快，高压情况下容易击穿周围的器件。

2、栅极电阻阻值过大

MOS管导通时，Rds会从无穷大将至Rds(on)(一般0.1欧姆级或者更低)。栅极电阻过大时，MOS管导通速度过慢，即Rds的减小要经过一段时间，高压时Rds会消耗大量功率，导致MOS管发烫。过于频繁地导通会使热量来不及发散，MOS温度迅速升高。

3、在高压下，PCB的设计也需要注意。栅极电阻最好紧靠栅极，并且导线不要与母线电压平行分布。否则母线高压容易耦合至下方导线，栅极电压过高击穿MOS管。

MOS管栅极串联电阻作用的研究

与反向并联的二极管一同构成硬件死区电路

驱动电路电压源为MOS结电容充电时经过栅极电阻，栅极电阻降低了充电功率，延长了栅极电容两端电压达到MOS管开启电压的速度；结电容放电时经过二极管，放电功率不受限制，故此情况下MOS管开启速度较关断速度慢，形成硬件死区。

限流

当使用含内部死区的驱动或不需要硬件死区时，是否可以省去栅极电阻呢？答案是不行。