mosfet器件选型需掌握的3大法则和知识理解与应用详解

mosfet器件选型需掌握的3大法则和知识理解与应用详解

mosfet器件概述

mosfet器件，金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。

mosfet器件的结构

M-Metal-导体，O-Oxide-氧化物（绝缘体），S-Semiconductor-半导体，F-Field，E-Effect，T-Transistor -场效应晶体管。前三个字母反应了它的结构，MOSFET就是由导体-氧化物-半导体三层结构组成的器件，而后三个字母则反应了他的工作特性，它是一个感应电压的晶体管。

图1 MOSFET的结构

第一眼看到图1会感觉有些复杂，没关系不要紧，我们从简单的一点点来分析，首先看图2，这是一个简单的我们假想的半导体器件，虽然是假想的，但是不妨碍我们对其原理进行理解。这个我们意淫的器件同样是由导体、绝缘体、半导体三层结构组成，这个半导体是P型掺杂的还是N型掺杂的我们先不管，这里我们以P型掺杂的半导体为例。

图2 一个简单的假想的半导体器件

图3左图，如果我们在导体和半导体两端加电压V1，因为有绝缘体在中间整个器件没有电流通过，但此时你有没有发现这个器件就是一个电容，导体和电源正极相连带正电荷，P型掺杂的半导体本来能用来导电的自由电子很少，但由于和电源负极相连，自由电子都聚集到和绝缘体相接的表面。这个自由电荷聚集的区域我们称为沟道，此时，沟道中没有电流，只有电荷，其电荷数量为。