MOSFET内部二极管之逆变器应用介绍

MOSFET内部二极管之逆变器应用介绍

全桥与H桥逆变器

如上电路所示，全桥逆变器中，一组4个MOSFET连接到输出负载。

对角连接的MOSFET通过外部振荡器交替切换，来自电池的输入DC转换为负载的交流电或AC。

负载通表现为变压器形式，低压初级线圈与MOSFET桥连接以实现预期的DC到AC反相。

基于4 N沟道MOSFET的H桥被应用在全桥逆变器中，即用4 N通道逆变器依赖于专用驱动器IC，但效率很高，复杂性可忽略，广泛应用于全桥逆变器中。

MOSFET体内二极管

MOSFET中用内部二极管，保护器件免受因连接的电感性负载,产生的反向EMF尖峰的影响。

当电感负载与MOSFET漏极接通时，电能立即存储在负载内部，并且在下一个瞬间随着关闭，该存储的EMF从MOSFET源极到漏极，从而导致MOSFET永久性损坏。

在器件的漏源极间存在一个内部二极管，通过允许反电动势尖峰穿过二极管来阻止MOSFET被损坏，保护MOSFET。

MOSFE二极管为逆变器电池充电