MOSFET击穿电压-MOS管击穿特性原因以及解决方案

MOSFET击穿电压-MOS管击穿特性原因以及解决方案

MOSFET击穿电压有哪几种

场效应管的三极:源级（Source）S、漏级（Drain）D、栅级（Gate）G

(这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对MOSFET击穿电压漏极电压击穿)

先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain（漏级）到source（源级）、Drain（漏级）到Bulk、Drain（漏级）到Gate（栅级）。

1)MOSFET击穿电压-Drain（漏极）->Source（源极）穿通击穿

这个主要是Drain（漏极）加反偏电压后，使得Drain（漏极）/Bulk的PN结耗尽区延展，当耗尽区碰到Source（源极）的时候，那源漏之间就不需要开启就形成了通路，所以叫做穿通(punchthrough)。那如何防止穿通呢,这就要回到二极管反偏特性了，耗尽区宽度除了与电压有关，还与两边的掺杂浓度有关，浓度越高可以抑制耗尽区宽度延展，所以flow里面有个防穿通注入(APT:AntiPunchThrough)，记住它要打和well同type的specis。当然实际遇到WAT的BV跑了而且确定是从Source（源极）端走了，可能还要看是否PolyCD或Spacer宽度，或者LDD_IMP问题了，那如何排除呢这就要看你是否NMOS和PMOS都跑了POLYCD可以通过Poly相关的WAT来验证。

对于穿通击穿，有以下一些特征：

(1)穿通击穿的击穿点软，击穿过程中，电流有逐步增大的特征，这是因为耗尽层扩展较宽，产生电流较大。另一方面，耗尽层展宽大容易发生DIBL效应，使源衬底结正偏出现电流逐步增大的特征。