MOSFET电路图文介绍

MOSFET电路图文介绍

MOSFET已成为最常用的三端器件，它们非常小，制造过程非常简单。由于MOSFET的特性，模拟电路和数字电路都成功地实现了集成电路，MOSFET电路可以从大信号模型小信号模型两种方式进行分析。

大信号模型是非线性的。它用于求解器件电流和电压的de值。小信号模型可以在大信号模型线性化的基础上推导出来。截止区、三极管区和饱和区是MOSFET的三个工作区。当栅源电压(VGS)小于阈值电压(Vtn)时，器件处于截止区。当MOSFET用作放大器时，它工作在饱和区。用作开关时处于三极管或截止区。

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MOSFET驱动电路

为了帮助MOSFET最大化开启和关闭时间，需要驱动电路。如果MOSFET需要较长时间进出导通，那么我们就无法利用使用MOSFET的优势。这将导致MOSFET发热，器件将无法正常工作。MOSFET驱动器通常可以使用自举电路产生电压，以将栅极驱动到高于MOSFET电源电压的电压。

实际上，MOSFET的栅极对驱动器来说就像一个电容器，或者驱动器可以通过分别对栅极进行充电或放电来非常快速地打开或关闭MOSFET。

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MOSFET开关电路

MOSFET工作在三个区域，截止区，三极管区和饱和区。当MOSFET处于截止三极管区域时，它可以作为开关工作。

MOSFET开关电路由两个主要部分组成-MOSFET(按晶体管工作)和开/关控制块。当晶体管导通时，MOSFET将电压源传递给特定负载。在大多数情况下，n沟道MOSFET优于p沟道MOSFET，因为它有几个优点。