MOSFET场效应管电性能相关参数介绍

场效应管MOSFET电性能相关参数介绍

本篇主要介绍电性能相关的参数。相关的参数如下表所示

图：电性能相关参数

1、漏-源极击穿电压（BVDSS）

BVDSS 是反向偏压的体二极管被击穿，且雪崩倍增引发大量的电流在源极和漏极之间流动的电压。

BVDSS的含义虽然与VDS略有差异，但是在数值上一般是相同的。一般技术手册中给出的VDSS为额定值，BVDSS给出的是最小值，所谓数值相同，是VDSS的额定值与BVDSS的最小值相同。

VDS电压偶尔超过VDSS，MOSFET会进入雪崩击穿区，可能不会马上损坏MOSFET，但是经常超过的话会使MOSFET性能下降或者损坏。

图：MOSFET结构示意图

BVDSS电压呈现两个特性：

①如下图所示，当测试的IDSS值越大，所得到的BVDSS电压值越高。因此使用不同的测试标准时，实际的性能会有较大的差异。

②BVDSS并不是一成不变的，它具有正温度系数，温度越高耐压越高。如下图所示