晶体管共发射极电路设计介绍

易于使用的电子电路设计指南，用于设计公共发射极晶体管放大器级的电子电路设计，显示电子元件值的计算。

普通发射极放大器应用广泛，其电子电路设计相对简单。

有一些简单的计算可以与简单的设计流程相结合，以给出可靠的结果。在共发射极放大器设计中采用首选元件值非常容易。

共发射极放大器有几种变体，这些变体可以很容易地在设计中容纳。常见发射极放大器设计的最基本形式是简单的逻辑缓冲器/输出，由一个晶体管和几个电阻组成。这可以添加一些额外的元件，使其成为具有直流偏置和发射极旁路电阻的交流耦合放大器。

简单的逻辑共发射极放大器设计

这种非常简单的逻辑缓冲器或共发射极放大器设计设计与任何设计一样简单。

电路设计显示了带有输入电阻和集电极电阻的晶体管。输入电阻用于限制流入基极的电流，集电极电阻用于在输出端产生该电压。

当输入端出现逻辑高电平时，电流流过R1并流入基极。这会导致晶体管接通。反过来，集电极上的电压几乎降至零，所有电压都产生于电阻R1两端。

可以看出，存在相位反转。对于高输入电压，输出为低电平，即通信

基本共发射极晶体管放大器的电路 - 此版本通常与逻辑电路一起用作简单的开关。

用作逻辑IC缓冲器的共发射极放大器非常容易设计。