FIR5N50LG,TO-252,中文参数,引脚图,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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FIR5N50LG场效应管封装TO-251,TO-252

一般说明

FIR5N50BPG,LG硅N沟道增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术获得，可降低传导损耗，提高开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。 封装形式为符合RoHS标准的TO-251。

特征

· 快速切换

· 低导通电阻（Rdson≤1.5）

· 低栅极电荷（典型数据：12.6nC）

· 低反向传输电容（典型值：4pF） l100%单脉冲雪崩能量测试