场效应管 三极管 IGBT知识概括和三者如何使用分析
(一)IGBT
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。
IGBT作为新型电子半导体器件,具有输入阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电子电路中获得极广泛的应用。
IGBT是电压控制电流,可是说是集成块三极管和场效应管的优点的一种器件,它利用电压来控制PN结,在大电流应用比较广泛,因此比较适合强电开关,强电功率使用,例如变频器、逆变器、电力控制系统等,很多场合以IGBT作为逆变器件,工作电流3000kVA以上,频率达25kHz以上。如下图是直流电机驱动主电路。
(二)场效应管
场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。
MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。