场效应管PN结的形成以及特性详细解析

场效应管PN结的形成以及特性详细解析

场效应管PN结的形成和特性

众所周知,导电能力介于导体和绝缘体之间的物体,称之为半导体。它可分为本征半导体和杂质半导体两种。本征半导体就是纯净的半导体,不摻有任何杂质,它的导电能力很微弱。如果在本征半导体中掺人微量的其它物质(元素),半导体的导电性能会大大加强,这就是杂质半导体。

场效应管PN结的形成和特性，加到半导体里的杂质一般有两种类型:一种是施主杂质。把它加进半导体后,半导体中会产生许多可以自由运动的带负电的电子(称为多数载流子,此时整个半导体还是中性的,其正电部分不能运动),如图1-1(a)所示。

这类掺有施主杂质的半导体称为N型半导体。另一种是受主杂质。把它加进半导体后,半导体中会产生许多可以自由运动的带正电的空穴(称为多数载流子,同样,整个半导体还是中性的,其负电荷处于東缚状态,不能自由运动),如图1-1(b)所示。这类掺有受主杂质的半导体称为P型半导体。

场效应管PN结的形成和特性，如果用工艺的方法,把一块N型半导体和一块P型半导体结合在一起,这时,N型半导体中的多数载流子电子就要向P型半导体中渗透扩散。我们把这种多数载流子扩散运动所形成的电流叫做扩散电流,其方向与正电荷运动的方向相同,与负电荷运动的方向相反。结果,在结合面,N型半导体薄层A因一部分电子扩散到P区而带有正电，如图1-1(c)所示。

同样,P型半导体薄层B因一部分空穴扩散到N区而带有负电，如图1-1(d)所示。这样，在N型和P型两种不同类型半导体的交界面两侧就形成了带电薄层A和B(其中A带正电,B带负电)。薄层A. B间便产生了一个电场,如图1-2所示。

这个带电的薄层A和B,就叫做PN结,又叫做阻挡层。PN结形成后的电场方向是由N型区域指向P型区域的，它对P型区域的空穴(多数载流子)和N型区域的电子(多数载流子)的扩散起阻碍作用。但是，热运动产生的少数载流子，在电场

的作用下，却会越过PN结。该运动称为漂移运动。由漂移运动所形成的电流叫做漂移电流,其方向总是与扩散电流方向相反。