AO3400场效应管参数 封装引脚规格书PDF 全国供应商生产厂家

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AO3400是N沟道NMOS场效应管，AO3401则是P沟道PMOS管，两者沟道不同，其他性能基本一致，Vds：-30V；Id：-4A；是其AO34xx代号的意思，代表主要性能；在低压开关时建议使用AO3400，AO3401，Rds(ON)导通内阻会稍小。高压开关时需要用AO3407，及以上的，Vgs不同，MOS导通内阻也不同，请比对规格书选用。

AO3400采用了先进的沟槽技术与低电阻封装提供极低的RDS(ON)，低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO3400不含铅（符合 ROHS 和 Sony 259 规范）。 

AO3400L是绿色产品订购选项。 AO3400和AO3400L在电气上是相同的。

AO3400,SOT23(N沟道增强型场效应晶体管)主要参数特性如下

· Vds(V)：30V

· Id(Vgs=10V情况下)：5.8A

· Rds(ON) (Vgs=10v情况下)：<28mΩ