〔壹芯〕生产10N65场效应管7A-650V,参数达标,质量稳定

场效应管(MOSFETS)

型号：10N65　　　　　　　极性：N

IDA(A)：10　　　　　　　VDSS(V)：650

RDS(on)　MAX(Ω)：1.0　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：6.2　Vgs(V)：40　Io(A)：5.0

封装：TO-220

场效应管的主要性能参数

本文再次主要以VDMOS(垂直双扩散MOS)为例进行介绍。VDMOS的结构如图5-20所示。

VDMOS的电性能参数如下。

（1）阙值电压（开启电压）VGS(th)：栅电压产生的电场控制着源漏间沟道区域流子的使沟道区源端呈强反型时的栅源电压称为阈值电压VGS。对于增强型场效应管为开启电压，对于耗尽型和结型场效应管为夹断电压。

（2）漏-源击穿电压 V(BR)DSS：漏一源击穿电压为场效应管进入恒流区后，使漏极电流骤然大的漏一源极间电压VDS电压即为漏-源击穿电压。此参数为极限参数，超过此电压场效管会损毁。

（3）栅极漏电流IGss：栅极漏电流测试是测试栅极在一定的电压条件下的漏电流，其测件将设置VDs=0，并将栅极电压设置规定值进行栅极漏电流测试，此参数测试包括正向漏电流和反向漏电流两个参数

（4）漏极漏电流IGss：漏极漏电流测试是测试漏极在一定的电压条件下的漏电流，其测条件将设置VGS=0，并将漏极电压设置规定值，进行漏极漏电流测试。

（5）导通电阻RDS(on)：导通电阻说明了漏极和源极电压对漏极电流的影响，是转移特性曲线的某点切线的斜率。对一般绝缘栅型场效应管的导通电阻一般在几百Ω以内。

（6）跨导gfs：跨导表示栅极和源极电压对漏极电流的控制能力，即漏极电流变化量和栅一源电压的变化量的比值。跨导是衡量场效应管放大能力的重要参数所示。

（7）开通延迟时间td(on)、上升时间tr、关断延迟时间td(off)、下降时间tr：定义如图5-21所示。

图5-21开通延迟时间，上升时间，关断延迟时间，下降时间

（8）寄生二极管正向压降VSD、反向恢复时间t（普通场效应管无此参数）：这是表征漏源极管的特性参数，它的正向压降与普通二极管相同，反向恢复时间trr与普通整流管的相近。

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