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Ugs对导电沟道和D i 的控制作用:
当Ugs= 0时,导电沟道未受任何电场的作用,导电沟道最宽,当外加Uds 时,D i 最大;当Ugs由零向负值增大时,在GS u 的反向偏置电压作用下,耗尽层将加宽,导电沟道变窄,沟道电阻增大,
外加Uds 时, D i 将减小;当│ Ugs│= U gs(off) 时,两侧的耗尽层在中间完全合拢,导电沟道被夹断;相应的栅-源极之间的电压称为夹断电压Ugs(off) 。可见,改变Ugs的大小可以有效控制导电沟道电阻的大小。
n沟道结型场效应管结构
n沟道结型场效应管由一个被一个p型掺杂(阻碍层)环绕的n型掺杂组成。在n型掺杂上连有汲极(也称漏极,来自英语Drain,因此也称D极)和源极(来自英语Source,因此也称S极)。从源极到汲极的这段半导体被称为n通道。p区连有闸极(也称栅极,来自英语Gate,因此也成为G极)。这个极被用来控制结型场效应管,它与n通道组成一个pn二极管,因此结型场效应管与金属-氧化物-半导体场效应管类似,只不过在金属-氧化物-半导体场效应管中不是使用pn结,而是使用肖特基结(金属与半导体之间的结),在原理上结型场效应管与金属-氧化物-半导体场效应管是完全一样的。
n沟道结型场效应管
1、产品简介
设计生产的超结场效应管用先进的耐压原理和优化的设计结构,全新600~900V系列产品为系统应用提供充足的耐压余量,简化系统设计难度,提高系统可靠性,满足客户对高耐压、低导通内阻和高效超结MOSFET的需求。
2、产品特点
(1)更高耐压为系统设计和应用提供更充足余量
(2)更低的导通电阻,利于降低导通损耗
(3)极低的栅极电荷,提供更快的开关速度
(4)同规格下更小的封装体积,使系统更轻便
(5)雪崩能力测试,确保产品质量可靠
3、应用领域
(1)正激电路
(2)准谐振反激电路
(3)适配器
(4)太阳能逆变器
(5)工业整流
n沟道结型场效应管型号
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