MOS管以及场效应晶体管背后的关系

电子元器件行业有今天的成就，那绝离不开MOS管与场效应晶体管的鼎力相助，但是一些刚入电子行业的常常把MOS管与场效应晶体管混为一谈，到底MOS管和场效应晶体管两者背后到底有何联系？这对于初学者来说，这两个名字常常容易让初学者混淆，那究竟MOS管到底是不是场效应晶体管？

其实根据这几种电子元器件的包含关系，说MOS管是场效应晶体管是没问题的，但是反过来说就不对了，也就是说场效应晶体管不单单只包括MOS管，还有其他的电子元件。

实际上场效应晶体管可以分为结型管（（Junction Field-Effect Transistor，J F E T））和MOS管（metal-oxide semiconductor F E T，简称MOS管），相对于MOS管来说，结型管使用频率很低，所以提到结型管的频率也比较低，MOS管和场效应晶体管倒经常提到，给人一种误解，以为这是一种元件。

实际上MOS管又可分为增强型和耗尽型，这两种电子元器件工作原理略有不同，增强型管在栅极（G）加上正向电压时漏极（D）和源极（S）才能导通，而耗尽型即使栅极（G）没加正电压，漏极（D）和源极（S）也是导通的。

其实到这场效应晶体管的分类还没结束，每种类型的管子又可分为N型管和P型管，所以说场效应晶体管下面可以分为6种类型的管子，分别是N沟道结型场效应晶体管、P沟道结型场效应晶体管、N沟道增强型场效应晶体管、P沟道增强型场效应晶体管、N沟道耗尽型场效应晶体管和P沟道耗尽型场效应晶体管。

每种元件在电路图中的电路符号也不相同，例如下面这张图片列出来的是两种结型管的电路符号，2号管脚的箭头指向管子的为N沟道结型场效应晶体管，往外指的是P沟道结型场效应晶体管。

MOS管和结型管电路符号相差的还是比较大，也很容易区分出来，例如下面这个图片中的电路符号和上面那张图中的电路符号很明显有很大差别。其实下图是N沟道耗尽型场效应晶体管和P沟道耗尽型场效应晶体管，同样箭头指向管子的为N型，往外指的是P型管。

同样N沟道增强型场效应晶体管与P沟道增强型场效应晶体管区分也是根据箭头的指向，同样是指向管子的是N型管，往外指的是P型管。

增强型场效应晶体管（包括N型管和P型管）和耗尽型场效应晶体管（包括N型管和P型管）电路符号就很接近了，二者的差别是符号中有一个是用虚线表示的，一个是用实线表示的。虚线表示的是增强型场效应晶体管，实线表示的是耗尽型场效应晶体管。

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