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2SK3018 N沟道场效应晶体管 30V，100mA，SOT23（或不同封装）

2SK3018(SOT-23)封装引脚图如下 (图片)

2SK3018主要参数

极性：NPN

漏源电压(VDS)：30(V)

栅源电压(VGS)：±20(V)

单脉冲雪崩电流(IAS)：*(A)

漏极电流-连续(ID)：±100(mA)

漏极电流-脉冲(IDM)：±400(mA)

单脉冲雪崩能量(EAS)：*(mJ)

重复雪崩能量(EAR)：*(mJ)

二极管恢复峰值(dv/d)：*(V/ns)

功耗(PD)：200(mW)

通道温度(TCH)：150(°C)

工作与贮存温度范围(TJ,TSTG)：-55~+150(°С)

热阻-结到环境(RθJA)：625(°C/W)

热阻-结到外壳(RθJC)：*(°C/W)

焊接的最高引线温度(TL)：*(°С)

2SK3018封装尺寸

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